之前曾有消息稱，三星計劃投資西安閃存芯片80億美元，以促進NAND閃存芯片的生產，據悉該工廠每月可加工12萬片晶圓，擴建后將開始每月加工13萬片晶圓。

早在2017年的時候，該公司宣布，計劃在未來三年內向其位于西安的NAND閃存芯片工廠投資70億美元，這筆投資是三星西安閃存芯片項目二期的第一階段投資。

三星二期項目的總投資為150億美元，預計于2021年下半年竣工。此前，該公司還向西安的一家檢測和包裝工廠投資了108億美元，這筆投資是三星西安閃存芯片項目的一期投資。

目前，三星在三個地方生產3D NAND：韓國的華城、平澤和中國的西安。自2014年以來，該公司就一直在其位于西安的工廠生產NAND芯片。最近，該公司在其位于平澤的工廠增加了第二條生產線，預計將于明年投產。

有分析人士表示，三星為了打擊國產自主內存，正在加大投資，以保證足夠的創新。今年9月，紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，已開始量產基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。