5 月 7 日消息 根據(jù)外媒 wccftech 消息，繼嘉合勁威、朗科、英睿達(dá)等廠商之后，金士頓于 5 月 6 日也宣布制造出了該品牌首款 DDR5 內(nèi)存條，并且支持加壓超頻功能。官方表示，首批 DDR5 內(nèi)存條樣品已經(jīng)送至主板廠商進(jìn)行測(cè)試，包括華碩、微星、技嘉、華擎等。該系列內(nèi)存內(nèi)置 XMP 內(nèi)存超頻配置文件，同時(shí)可以由主板控制內(nèi)存條板載的供電電路(PMIC)，使其超過 DDR5 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的 1.1V。

　　▲ 目前該品牌的 DDR4 內(nèi)存

　　以下為金士頓官方發(fā)布的公告原文：

　　金士頓表示，該品牌的 DDR5 內(nèi)存條預(yù)計(jì)將于 2021 年第三季度發(fā)貨。外媒表示，支持超頻的內(nèi)存條預(yù)計(jì)會(huì)有更短的時(shí)序以及更高的頻率，未來 DDR5 內(nèi)存的頻率有望超過 10000MHz。預(yù)計(jì)在今年，金士頓會(huì)推出 32GB、64GB、128GB 的內(nèi)存產(chǎn)品，速度為 4800MHz 或 5600MHz。

　　外媒 TeamGroup 此前表示，DDR5 內(nèi)存在使用液氮散熱的條件下，可以將電壓提升至 2.6V。

　　根據(jù)此前的爆料消息，DDR5 內(nèi)存的性能有望提升至 DDR4 的兩倍，目前 DDR4 內(nèi)存的極限超頻頻率為 7GHz，因此新一代內(nèi)存超頻至 10GHz 將十分有可能。

　　▲ 嘉合勁威 DDR5 內(nèi)存，可見板載供電電路

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