據臺灣媒體報道，臺積電沖刺先進制程，在 2nm 研發有重大突破，已成功找到路徑，將切入環繞式柵極技術 (gate-all-around，簡稱 GAA)技術。

▲ 臺積電

　　臺媒稱，三星已決定在 3nm 率先導入 GAA 技術，并宣稱要到 2030 年超過臺積電，取得全球邏輯芯片代工龍頭地位，臺積電研發大軍一刻也不敢松懈，積極投入 2nm 研發，并獲得技術重大突破，成功找到切入 GAA 路徑。

　　臺積電負責研發的資深副總經理羅唯仁，還為此舉辦慶功宴，感謝研發工程師全心投入。

　　臺積電 3nm 制程預計明年上半年在南科 18 廠 P4 廠試產、2022 年量產，業界以此推斷，臺積電2nm 推出時間將在 2023 年到 2024 年間。

　　臺積電今年 4 月曾表示，3nm 仍會沿用 FinFET(鰭式場效應晶體管)技術，主要考慮是客戶在導入 5nm 制程后，采用同樣的設計即可導入 3nm 制程，可以持續帶給客戶有成本競爭力、效能表現佳的產品 。

　　臺積電成立于 1987 年，是全球最大的晶圓代工半導體制造廠，客戶包括蘋果、高通等等。其總部位于臺灣新竹的新竹科學工業園區。臺積電公司股票在臺灣證券交易所上市，股票代碼為 2330，另有美國存托憑證在美國紐約證券交易所掛牌交易，股票代號為 TSM。

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