這兩年，臺積電、三星在先進工藝上你追我趕，下一步比拼的就是3nm、2nm。

　　三星此前已經(jīng)宣布，3nm 3GAE低功耗版2022年初量產(chǎn)，3nm 3GAP高性能版2023年初量產(chǎn)，2nm 2GAP 2025年量產(chǎn)。

　　臺積電CEO魏哲家最新公開表示，臺積電3nm N3將在今年內(nèi)風險性試產(chǎn)，2022年下半年大規(guī)模量產(chǎn)，2023年第一季度獲得實際收入。

　　臺積電N3 3nm工藝將是N5 5nm之后的全新節(jié)點，號稱經(jīng)過密度可增加70%，同等功耗下性能可提升10-15%，同等性能下功耗可降低25-30%，并且使用更多層的EUV光刻(不低于N5 14層)，因此更加復雜化，整個工藝流程的工序超過1000道。

　　N3還會衍生出一個N3E版本，可以視為增強版，有更好的性能、功耗、良品率，同時設(shè)計和IP上完全兼容N3，2024年量產(chǎn)。

　　臺積電的N2 2nm工藝一直比較神秘，官方此前只是確認會考慮使用GAAFET(環(huán)繞柵極場效應晶體管)，但從未明確是否真的上馬。

　　按照魏哲家的最新說法，N2工藝將在2025年量產(chǎn)，并強調(diào)無論集成密度還是性能都是業(yè)內(nèi)最好的，但未給出具體指標。

　　之前預計臺積電2nm 2024年就能量產(chǎn)，結(jié)果現(xiàn)在節(jié)奏也放緩了，和三星基本同步，就看誰的表現(xiàn)更好了，當然還有高昂的成本問題。

特別提醒：本網(wǎng)信息來自于互聯(lián)網(wǎng)，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實，對本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，并請自行核實相關(guān)內(nèi)容。本站不承擔此類作品侵權(quán)行為的直接責任及連帶責任。如若本網(wǎng)有任何內(nèi)容侵犯您的權(quán)益，請及時聯(lián)系我們，本站將會在24小時內(nèi)處理完畢。